OPTO-EDU A63.7190 300000x Kritische Dimensie Scanning Elektronenmicroscoop
-
WafeltjegrootteA63.7190-68: 6/8 Inch
-
Resolutie2.5nm (Acc=800V)
-
Versnellingsspanningen0.5-1.6KV
-
HerhaalbaarheidStatic & Dynamic ± 1% of 3 nm ((3 Sigma)
-
Probe Beam Current3~30pA
-
MeetbereikFOV 0,1~2,0μm
-
Plaats van herkomstChina
-
MerknaamCNOEC, OPTO-EDU
-
CertificeringCE, Rohs
-
ModelnummerA63.7190
-
Document
-
Min. bestelaantal1 pc
-
PrijsFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
Verpakking DetailsKartonverpakking, voor de Uitvoervervoer
-
Levertijd5 tot 20 dagen
-
BetalingsconditiesT/T, het Westenunie, Paypal
-
Levering vermogen5000 PCs-Maand
OPTO-EDU A63.7190 300000x Kritische Dimensie Scanning Elektronenmicroscoop
|
Een Critical Dimension Scanning Electron Microscope (CD-SEM) is een gespecialiseerde SEM die wordt gebruikt om de afmetingen van kleine functies op halfgeleiderwafers, fotomaskers en andere materialen te meten.Deze metingen zijn van cruciaal belang om de nauwkeurigheid en precisie van geproduceerde elektronische apparaten te waarborgen..
◉Compatibel met 6/8 inch wafers Grootte, vergroting 1000x-300000x ◉Resolutie 2,5nm (Acc=800V), versnellingsspanningen 500V-1600V ◉Herhaalbaarheid Statische & Dynamische ± 1% of 3nm ((3 Sigma), Probe Beam Current 3~30pA ◉High-Speed Wafer Transfer System Design geschikt voor halfgeleiderchips van de 3e generatie ◉Geavanceerde elektronoptische systemen en beeldverwerking, met inbegrip van koelmachines, drooppompen |
|
▶Belangrijkste kenmerken CD-SEM's maken gebruik van een elektronenstraal met een lage energie en hebben een verbeterde vergrotingskalibratie om nauwkeurige en herhaalbare metingen te garanderen.en zijwandhoeken van patronen. |
|
▶Doel CD-SEM's zijn essentieel voor metrologie in de halfgeleiderindustrie, omdat ze helpen bij het meten van de kritische afmetingen (CD's) van patronen die worden gecreëerd tijdens lithografie- en etseringsprocessen.CD's verwijzen naar de kleinste functiegroottes die betrouwbaar kunnen worden geproduceerd en gemeten op een wafer. |
|
▶Toepassingen Deze instrumenten worden gebruikt in de productielijnen van elektronische apparaten om de dimensionale nauwkeurigheid van de verschillende lagen en kenmerken van een chip te waarborgen.Zij spelen ook een cruciale rol bij de ontwikkeling en controle van processen., het helpen bij het identificeren en corrigeren van eventuele problemen die tijdens het productieproces kunnen optreden.
▶Betekenis Zonder CD-SEM's zou de moderne micro-elektronica moeite hebben om het hoge niveau van precisie en prestaties te bereiken dat door de industrie wordt geëist.Zij zijn onmisbaar om de betrouwbaarheid en de functionaliteit van moderne elektronische apparaten te waarborgen.. |
|
▶Veranderende technologie Naarmate de lithografietechnieken vooruitgang boeken en de grootte van de onderdelen blijft krimpen, evolueren CD-SEM's voortdurend om aan de eisen van de industrie te voldoen.Nieuwe technologieën en vooruitgang in CD-SEM worden ontwikkeld om de uitdagingen van het meten van steeds complexere patronen aan te gaan |
| A63.7190 Elektronenmicroscoop voor het scannen van kritische afmetingen (CDSEM) | ||
| Wafergrootte | A63.7190-68: 6/8 inch | A63.7190-1212 inch. |
| Resolutie | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| Versnellingsspanningen | 0.5-1.6KV | 0.3-2.0KV |
| Herhaalbaarheid | Static & Dynamic ± 1% of 3 nm ((3 Sigma) | Static & Dynamic ± 1% of 0,3 nm ((3 Sigma) |
| Stroom van de sondestraal | 3 tot en met 30 pA | 3 tot en met 40 pA |
| Meetbereik | FOV 0,1-2,0 μm | FOV 0,05 tot 2,0 μm |
| Doorvoer | > 20 wafers/uur, | > 36 wafers/uur, |
| 1 punt/chip, | 1 punt/chip, | |
| 20 chips/wafer | 20 chips/wafer | |
| Vergroting | 1Kx~300Kx | 1Kx-500Kx |
| Stage nauwkeurigheid | 0.5 μm | |
| Elektronenbron | Schottky-thermische veldemitter | |
| Vergelijking van de belangrijkste CDSEM-modellen op de markt | |||||
| Specificatie | Hitachi | Hitachi | Hitachi | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 | A63.7190-12 | |
| 1Wafergrootte | 6 inch/8 inch | 8 inch/12 inch | 8 inch/12 inch | 6 inch/8 inch | 12 inch. |
| 2. Resolutie | 5 nm (Acc=800V) | 2 nm (Acc=800V) | 2 nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3Versnellingspanning. | 500-1300 V | 300-1600 V | 300-1600 V | 500-1600 V | 300-2000V |
| 4. Herhaalbaarheid (statisch en dynamisch) | ± 1% of 5 nm ((3 sigma) | ± 1% of 2 nm ((3 sigma) | ± 1% of 2 nm ((3 sigma) | ± 1% of 3 nm ((3 sigma) | ± 1% of 0,3 nm ((3 sigma) |
| 5IP-bereik (onderzoeksstroom) | 1 tot en met 16 pA | 3-50 pA | 3-50 pA | 3-30pA | 3-40pA |
| 6. FOV-grootte | - | 50 nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7- Doorvoer. | 26 wafers/uur, | 24 wafers per uur, | 24 wafers per uur, | > 20 wafers/uur, | 36 wafers per uur, |
| 1 punt/chip, | 1 punt/chip, | 1 punt/chip, | 1 punt/chip, | 1 punt/chip, | |
| 5 chips/wafer | 20 chips/wafer | 20 chips/wafer | 20 chips/wafer | 20 chips/wafer | |
Onze producten worden over de hele wereld verkocht. U kunt gerust zijn op het hele proces van onze producten.